GaN-based laser diodes including a lattice-matched Al0.83In0.17N cladding layer
2009
Résumé
Nitride blue lasers including an AlInN cladding lattice matched to GaN were fabricated. Lasing at 415nm is observed at 300K with a threshold current density of 7.5kA/cm(2) and a peak power of 140mW at 1.2A. (C) 2009 Optical Society of America
Détails
Titre
GaN-based laser diodes including a lattice-matched Al0.83In0.17N cladding layer
Auteur(s)
Feltin, E. ; Castiglia, A. ; Cosendey, G. ; Carlin, J.-F. ; Butte, R. ; Grandjean, N.
Publié dans
2009 Conference On Lasers And Electro-Optics And Quantum Electronics And Laser Science Conference (Cleo/Qels 2009)
Pages
1631-1632
Présenté à
Conference on Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS 2009), Baltimore, MD, Jun 02-04, 2009
Date
2009
Editeur
Ieee
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
LASPE
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > LASPE - Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique
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Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2010-10-11