Near bandgap photoemission in GaAs ; application to GaAs/GaAlAs 2D structures
1986
Détails
Titre
Near bandgap photoemission in GaAs ; application to GaAs/GaAlAs 2D structures
Auteur(s)
Houdré, R. ; Drouhin, H. J. ; Hermann, C. ; Lampel, G. ; Gossard, A. C.
Publié dans
18th International Conference on the Physics of Semiconductors
Pages
541-548
Date
1986
Editeur
World Scientific
Note
invited communication
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2007-08-31