Polyimide sacrificial layer process for SOI SG-MOSFET pressure sensor
2005
Détails
Titre
Polyimide sacrificial layer process for SOI SG-MOSFET pressure sensor
Auteur(s)
Fernández-Bolaños, M. ; Abelé, N. ; Bouvet, D. ; Pott, V. ; Racine, G. ; Quero, J. M. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
31st International Conference on Micro- and Nano-Engineering
Présenté à
31th International Conference on Micro- and Nano-Engineering (MNE), Vienna, Austria, September 19-22, 2005
Date
2005
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2007-05-16