Low-Temperature Formation of Metal Molecular-Beam Epitaxy-Gaas(100) Interfaces - Approaching Ideal Chemical and Electronic Limits
1989
Détails
Titre
Low-Temperature Formation of Metal Molecular-Beam Epitaxy-Gaas(100) Interfaces - Approaching Ideal Chemical and Electronic Limits
Auteur(s)
Viturro, R. E. ; Chang, S. ; Shaw, J. L. ; Mailhiot, C. ; Brillson, L. J. ; Terrasi, A. ; Hwu, Y. ; Margaritondo, G. ; Kirchner, P. D. ; Woodall, J. M.
Publié dans
Journal of Vacuum Science & Technology B
Volume
7
Numéro
4
Pages
1007-1012
Date
1989
ISSN
1071-1023
Note
Univ wisconsin,dept phys,madison,wi 53706. ibm corp,thomas j watson res ctr,yorktown hts,ny 10598. Viturro, re, xerox corp,webster res ctr,114-41d,webster,ny 14580.
ISI Document Delivery No.: AK872
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LSE - Laboratoire de spectroscopie électronique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
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Date de création de la notice
2006-10-03