Hysteresis Dynamics in Double-Gated n-Type WSe2 FETs With High-k Top Gate Dielectric
2019
Files
Détails
Titre
Hysteresis Dynamics in Double-Gated n-Type WSe2 FETs With High-k Top Gate Dielectric
Auteur(s)
Oliva, Nicolò ; Ilarionov, Yury Yu ; Casu, Emanuele Andrea ; Cavalieri, Matteo ; Knobloch, Theresia ; Grasser, Tibor ; Ionescu, Mihai Adrian
Publié dans
IEEE Journal of the Electron Devices Society
Volume
7
Pages
1163-1169
Date
2019-08-07
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice
2020-01-24