Probing defects and impurity-induced electronic structure changes in single and double-layer hexagonal boron nitride sheets with STEM-EELS
2012
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Détails
Titre
Probing defects and impurity-induced electronic structure changes in single and double-layer hexagonal boron nitride sheets with STEM-EELS
Auteur(s)
Ramasse, Q. ; Alem, N. ; Zettl, A. ; Yazyev, O. ; Pan, C. ; Nair, R. ; Jalil, R. ; Zan, R. ; Bangert, U. ; Novoselov, K.S. ; Seabourne, C. ; Scott, A.J.
Publié dans
Microscopy and Microanalysis
Volume
18
Numéro
S2
Pages
1526-1527
Date
2012
Editeur
Cambridge, Cambridge University Press
ISSN
1431-9276
1435-8115
1435-8115
Note
National Licences
Laboratoires
C3MP
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > C3MP - Chaire de physique numérique de la matière condensée
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2019-08-23