Confinement-induced InAs/GaSb heterojunction electron-hole bilayer tunneling field-effect transistor


Publié dans:
Applied Physics Letters, 112, 18
Année
2018
Laboratoires:




 Notice créée le 2018-11-08, modifiée le 2020-04-20


Évaluer ce document:

Rate this document:
1
2
3
 
(Pas encore évalué)