Charge-Based Modeling of Long-Channel Symmetric Double-Gate Junction FETs-Part II: Total Charges and Transcapacitances
2018
Détails
Titre
Charge-Based Modeling of Long-Channel Symmetric Double-Gate Junction FETs-Part II: Total Charges and Transcapacitances
Auteur(s)
Makris, Nikolaos ; Jazaeri, Farzan ; Sallese, Jean-Michel ; Bucher, Matthias
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
65
Numéro
7
Pages
2751-2756
Date
2018
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
EDLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
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Date de création de la notice
2018-11-08