Bidirectional Non-Filamentary RRAM as an Analog Neuromorphic Synapse, Part II: Impact of Al/Mo/Pr0.7Ca0.3MnO3 Device Characteristics on Neural Network Training Accuracy


Publié dans:
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 6, 1, 169-178
Année
2018
Laboratoires:




 Notice créée le 2018-11-08, modifiée le 2018-12-03


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