Bidirectional Non-Filamentary RRAM as an Analog Neuromorphic Synapse, Part II: Impact of Al/Mo/Pr0.7Ca0.3MnO3 Device Characteristics on Neural Network Training Accuracy
2018
Détails
Titre
Bidirectional Non-Filamentary RRAM as an Analog Neuromorphic Synapse, Part II: Impact of Al/Mo/Pr0.7Ca0.3MnO3 Device Characteristics on Neural Network Training Accuracy
Auteur(s)
Fumarola, A ; Sidler, S ; Moon, K ; Jang, J ; Shelby, RM ; Narayanan, P ; Leblebici, Y ; Hwang, H ; Burr, GW
Publié dans
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY
Volume
6
Numéro
1
Pages
169-178
Date
2018
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
LSM
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSM - Laboratoire de systèmes microélectroniques
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Date de création de la notice
2018-11-08