Lowering motional resistance by partially HfO2 gap filling in double-ended tuning fork MEMS resonators.
2017
Détails
Titre
Lowering motional resistance by partially HfO2 gap filling in double-ended tuning fork MEMS resonators.
Auteur(s)
Lopez, Mariazel Maqueda ; Casu, Emanuele A. ; Ionescu, Adrian M. ; Fernandez-Bolanos, Montserrat
Publié dans
2017 Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium (EFTF/IFC)
Pages
805-806
Présenté à
2017 Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium ((EFTF/IFC), BESANÇON, France, 9-13 July 2017
Date
2017
Editeur
IEEE
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2017-11-17