Détails
Titre
A capacitance-voltage model for DG-TFET
Auteur(s)
Biswas, Arnab ; Ionescu, Mihai Adrian
Publié dans
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
Pages
1-2
Présenté à
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, Japan, 14-15 June 2015
Date
2015
Editeur
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Mots-clés (libres)
Lien supplémentaire
URL
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2015-11-23