Gate-All-Around Buckled Dual Si Nanowire nMOSFETs on Bulk Si for Transport Enhancement and Digital Logic Application
2012
Détails
Titre
Gate-All-Around Buckled Dual Si Nanowire nMOSFETs on Bulk Si for Transport Enhancement and Digital Logic Application
Auteur(s)
Najmzadeh, Mohammad ; Tsuchiya, Yoshishige ; Bouvet, Didier ; Grabinski, Wladyslaw ; Ionescu, Mihai Adrian
Présenté à
38th International Conference on Micro and Nano Engineering (MNE), Toulouse, France, September 16-20, 2012
Date
2012
Mots-clés (libres)
Lien supplémentaire
URL
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2012-07-10