DELAYED RELAXATION BY SURFACTANT ACTION IN HIGHLY STRAINED III-V-SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYERS - REPLY
1993
Détails
Titre
DELAYED RELAXATION BY SURFACTANT ACTION IN HIGHLY STRAINED III-V-SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYERS - REPLY
Auteur(s)
Grandjean, N. ; Massies, J.
Publié dans
Physical Review Letters
Volume
70
Numéro
7
Pages
1031-1031
Date
1993
ISSN
0031-9007
Laboratoires
LASPE
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > LASPE - Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique
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Date de création de la notice
2010-10-05