Détails
Titre
Transient Photoconductivity with Optical Bias in Undoped and Slightly n-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon
Publié dans
Physical Review B
Volume
55
Pages
10528-10540
Date
1997
Note
IMT-NE Number: 255
Laboratoires
PV-LAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > PV-LAB - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Production scientifique et compétences > Partenaires EPFL > Campus Neuchâtel > PV-Lab - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
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Date de création de la notice
2009-02-10