Origin and Incorporation Mechanism for Oxygen Contaminants in a Si:H and µc-Si:H Films prepared by the Very High Frequency (70 MHz) Glow Discharge Technique
1995
Détails
Titre
Origin and Incorporation Mechanism for Oxygen Contaminants in a Si:H and µc-Si:H Films prepared by the Very High Frequency (70 MHz) Glow Discharge Technique
Auteur(s)
Kroll, U. ; Meier, J. ; Keppner, H. ; Littlewood, S. D. ; Kelly, I. E. ; Giannoulès, P. ; Shah, A.
Publié dans
MRS Symp.
Volume
377
Pages
39-44
Date
1995
Note
IMT-NE Number: 199
Laboratoires
PV-LAB
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Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > PV-LAB - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
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Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
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Date de création de la notice
2009-02-10