Characterization of nearly ideal Schottky contacts on n-doped AlInAs usable for high performance AlInAs/GaInAs/InP MODFET applications
1991
Détails
Titre
Characterization of nearly ideal Schottky contacts on n-doped AlInAs usable for high performance AlInAs/GaInAs/InP MODFET applications
Auteur(s)
Gueissaz, F. ; Houdré, R. ; Ilegems, M.
Présenté à
1st International Semiconductor Device Research Symposium
Date
1991
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2007-08-31