Dislocation reduction via annealing of GaAs grown on Si substrates
1987
Détails
Titre
Dislocation reduction via annealing of GaAs grown on Si substrates
Auteur(s)
Houdré, R. ; Munns, G. ; Morkoç, H. ; Choi, C. ; Otsuka, N. ; Zhang, S. L. ; Levi, D. ; Klein, M. V.
Publié dans
SPIE Conference on Growth of Compound Semiconductors
Série
SPIE Proceedings, 796
Pages
27-31
Présenté à
Advances in Semiconductors and Semiconductor Structures, Bay Point, FL, United States
Date
1987
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Publié
Date de création de la notice
2007-08-31