Local volume inversion and corner effects in triangular gate-all-around MOSFETs
2006
Détails
Titre
Local volume inversion and corner effects in triangular gate-all-around MOSFETs
Auteur(s)
Moselund, K. E. ; Bouvet, D. ; Tschuor, L. ; Pott, V. ; Dainesi, P. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
2006 European Solid-State Device Research Conference
Pages
359-362
Présenté à
ESSDERC 2006
Date
2006
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-05-16