Electrical conduction in 10 nm thin polysilicon wires from 4 to 400 K and their operation for hybrid memory
2006
Détails
Titre
Electrical conduction in 10 nm thin polysilicon wires from 4 to 400 K and their operation for hybrid memory
Auteur(s)
Ecoffey, S. ; Bouvet, D. ; Mahapatra, S. ; Reimbold, G. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
Japanese Journal of Applied Physics
Volume
45
Numéro
6b
Pages
5461-5466
Date
2006
Autres identifiant(s)
DAR: 9313
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
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Date de création de la notice
2007-05-16