Analysis of DBE grown GaInAsP/InP heterostructures for 1.55 mu m lasers


Publié dans:
3rd Int. Conf. Indium Phosfide and Related Materials. IEEE, xxiv+678, 668-671
Année
1991
Laboratoires:




 Notice créée le 2007-02-15, modifiée le 2019-12-05


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