conference paper
Ta2O5 and HfO2 as ion-sensitive materials in ISFETs
2005
Nouveaux oxydes à forte permittivité dans l'intégration des semi-conducteurs
Type
conference paper
Author(s)
Mondin, G.
Jenny, S.
Jeanneret, S.
Millon, C.
Roussel, H.
Dubourdieu, C.
Date Issued
2005
Published in
Nouveaux oxydes à forte permittivité dans l'intégration des semi-conducteurs
Start page
183
End page
188
Editorial or Peer reviewed
NON-REVIEWED
Written at
OTHER
EPFL units
Available on Infoscience
May 12, 2009
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