Free-Electron Laser Spectroscopy of Semiconductors and Interfaces
McKinley, J. T.; Albridge, R. G.; Barnes, A. V.; Chen, G. C.; Davidson, J. L.; Languell, M. L.; Polavarapu, P. L.; Smith, J. F.; Yang, X.; Ueda, A.; Tolk, N.; Coluzza, C.; Baudat, P. A.; Dupuy, C.; Gozzo, F.; Iilegems, M.; Martin, D.; Moriergenoud, F.; Rudra, A.; Tuncel, E.; Margaritondo, G.
1994

Résumé

The broad tunability (1-10 mum) and megawatt regime peak intensity available from the Vanderbilt Free-Electron Laser is opening new avenues in semiconductor research. Initial experiments in nonlinear optical absorption and heterojunction band-edge discontinuity measurements are discussed in order to illustrate the flexibility of the free-electron laser as a research tool.

Détails

Titre Free-Electron Laser Spectroscopy of Semiconductors and Interfaces
Auteur(s) McKinley, J. T. ; Albridge, R. G. ; Barnes, A. V. ; Chen, G. C. ; Davidson, J. L. ; Languell, M. L. ; Polavarapu, P. L. ; Smith, J. F. ; Yang, X. ; Ueda, A. ; Tolk, N. ; Coluzza, C. ; Baudat, P. A. ; Dupuy, C. ; Gozzo, F. ; Iilegems, M. ; Martin, D. ; Moriergenoud, F. ; Rudra, A. ; Tuncel, E. ; Margaritondo, G.
Publié dans Journal of Vacuum Science & Technology a-Vacuum Surfaces and Films
Volume 12
Numéro 4
Pages 2323-2326
Date 1994
ISSN 0734-2101
Mots-clés (libres)
Note Ecole polytech fed lausanne,ch-1015 lausanne,switzerland. Mckinley, jt, vanderbilt univ,dept phys & astron,box 1807 stn b,nashville,tn 37235.
ISI Document Delivery No.: NZ032
Part 2
DOI https://doi.org/10.1116/1.579207
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Laboratoires LSE
LPRX
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
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Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice 2006-10-03

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