Microscopic Schottky-Barrier Control - Semiconductor-on-Metal Case
Hwu, Y.; Marsi, M.; Almeras, P.; Margaritondo, G.
1992

Résumé

We have modified the Schottky-barrer height of Si overlayers on Ag(111) substrates by means of Cs intralayers of different thicknesses. We also found a correlation between these changes and those of the work function, which makes it possible to measure the true value of the S parameter.

Détails

Titre Microscopic Schottky-Barrier Control - Semiconductor-on-Metal Case
Auteur(s) Hwu, Y. ; Marsi, M. ; Almeras, P. ; Margaritondo, G.
Publié dans Physical Review B
Volume 46
Numéro 3
Pages 1835-1837
Date 1992
ISSN 0163-1829
Note Ecole polytech fed lausanne,ph ecublens,inst phys appl,ch-1015 lausanne,switzerland. Hwu, y, univ wisconsin,dept phys,madison,wi 53706.
ISI Document Delivery No.: JE626
DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.46.1835
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Laboratoires LSE
LPRX
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Travail produit à l'EPFL
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Publié
Date de création de la notice 2006-10-03

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