Bicasrcuo-Semiconductor Interface Formation Processes
1991
Résumé
The deposition of Si and Ge on single-crystal 2212 BiCaSrCuO was studied with synchrotron-radiation photoemission. Contrary to previous results on polycrystalline substrates, clear evidence was found for substitutional reactions involving Bi.
Détails
Titre
Bicasrcuo-Semiconductor Interface Formation Processes
Auteur(s)
Hwu, Y. ; Lozzi, L. ; Larosa, S. ; Marsi, M. ; Onellion, M. ; Berger, H. ; Gozzo, F. ; Levy, F. ; Margaritondo, G.
Publié dans
Solid State Communications
Volume
78
Numéro
10
Pages
869-872
Date
1991
ISSN
0038-1098
Note
Univ wisconsin,ctr synchrotron radiat,madison,wi 53706. ecole polytech fed ph ecublens,inst phys appl,ch-1015 lausanne,switzerland. Hwu, y, univ wisconsin,dept phys,madison,wi 53706.
ISI Document Delivery No.: FT610
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2006-10-03