Low-Coverage Metal-Induced Unrelaxation of the Semiconductor Surface at Ag Inp(110) Interfaces - a Photoemission Extended X-Ray Absorption Fine-Structure Study
1990
Détails
Titre
Low-Coverage Metal-Induced Unrelaxation of the Semiconductor Surface at Ag Inp(110) Interfaces - a Photoemission Extended X-Ray Absorption Fine-Structure Study
Auteur(s)
Mangat, P. S. ; Choudhary, K. M. ; Kilday, D. ; Margaritondo, G.
Publié dans
Journal of Vacuum Science & Technology B
Volume
8
Numéro
4
Pages
995-1000
Date
1990
ISSN
1071-1023
Note
Univ wisconsin,dept phys,stoughton,wi 53589. univ wisconsin,ctr synchrotron radiat,stoughton,wi 53589. Mangat, ps, univ notre dame,notre dame,in 46556.
ISI Document Delivery No.: DU830
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LSE - Laboratoire de spectroscopie électronique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2006-10-03