Unrelaxation of the Semiconductor Surface at Low-Coverage Ag Inp(110) Interfaces as Determined by Photoemission Extended X-Ray-Absorption Fine-Structure
1990
Détails
Titre
Unrelaxation of the Semiconductor Surface at Low-Coverage Ag Inp(110) Interfaces as Determined by Photoemission Extended X-Ray-Absorption Fine-Structure
Auteur(s)
Choudhary, K. M. ; Mangat, P. S. ; Kilday, D. ; Margaritondo, G.
Publié dans
Physical Review B
Volume
41
Numéro
11
Pages
7576-7580
Date
1990
ISSN
0163-1829
Note
Univ wisconsin,ctr synchrotron radiat,stoughton,wi 53589. univ wisconsin,dept phys,stoughton,wi 53589. Choudhary, km, univ notre dame,dept mat sci & engn,notre dame,in 46556.
ISI Document Delivery No.: CZ843
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LSE - Laboratoire de spectroscopie électronique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2006-10-03