Interface States and Schottky-Barrier Formation at Metal-GaAs Junctions
1989
Détails
Titre
Interface States and Schottky-Barrier Formation at Metal-GaAs Junctions
Auteur(s)
Viturro, R. E. ; Mailhiot, C. ; Shaw, J. L. ; Brillson, L. J. ; Lagraffe, D. ; Margaritondo, G. ; Pettit, G. D. ; Woodall, J. M.
Publié dans
Journal of Vacuum Science & Technology a-Vacuum Surfaces and Films
Volume
7
Numéro
3
Pages
855-860
Date
1989
ISSN
0734-2101
Note
Univ wisconsin,madison,wi 53706. ibm corp,thomas j watson res ctr,yorktown hts,ny 10598. Viturro, re, xerox corp,webster res ctr,webster,ny 14580.
ISI Document Delivery No.: U7153
Part 1
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LSE - Laboratoire de spectroscopie électronique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2006-10-03