Heterojunction Interface Formation - Si on Ge, GaAs, and CdS
1983
Détails
Titre
Heterojunction Interface Formation - Si on Ge, GaAs, and CdS
Auteur(s)
Katnani, A. D. ; Stoffel, N. G. ; Daniels, R. R. ; Zhao, T. X. ; Margaritondo, G.
Publié dans
Journal of Vacuum Science & Technology a-Vacuum Surfaces and Films
Volume
1
Numéro
2
Pages
692-694
Date
1983
ISSN
0734-2101
Note
Katnani, ad, univ wisconsin,dept phys,madison,wi 53706.
ISI Document Delivery No.: QS531
ISI Document Delivery No.: QS531
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LSE - Laboratoire de spectroscopie électronique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice
2006-10-03