Photoemission-Studies of Heterojunction Interface Formation - Ge-GaAs(110) and Ge-Si(111)
1981
Détails
Titre
Photoemission-Studies of Heterojunction Interface Formation - Ge-GaAs(110) and Ge-Si(111)
Auteur(s)
Margaritondo, G. ; Stoffel, N. G. ; Katnani, A. D. ; Edelman, H. S. ; Bertoni, C. M.
Publié dans
Journal of Vacuum Science & Technology
Volume
18
Numéro
3
Pages
784-786
Date
1981
ISSN
0022-5355
Note
Margaritondo, g, univ wisconsin,dept phys,madison,wi 53705.
ISI Document Delivery No.: LV472
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LSE - Laboratoire de spectroscopie électronique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LPRX - Laboratoire de physique des rayons X
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2006-10-03