Fabrication of polysilicon gated-nanowires and their application for pA precision current measurements
2005
Détails
Titre
Fabrication of polysilicon gated-nanowires and their application for pA precision current measurements
Auteur(s)
Ecoffey, S. ; Pott, V. ; Bouvet, D. ; Leblebici, Y. ; Declercq, M. J. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
Digest of Technical Papers of the 13th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS '05)
Volume
1
Pages
859-862
Présenté à
13th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS '05), Seoul, Korea, June 5-9
Date
2005
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Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSM - Laboratoire de systèmes microélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSM - Laboratoire de systèmes microélectroniques
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2005-12-06