Submicrometer Hall devices fabricated by focused electron-beam-induced deposition
Boero, G; Utke, I; Bret, T; Quack, Niels; Todorova, M; Mouaziz, S; Kejik, P; Brugger, J; Popovic, RS; Hoffmann, P
2005

Fichiers

Résumé

Hall devices having an active area of about (500 nm)(2) are fabricated by focused electron-beam-induced deposition. The deposited material consists of cobalt nanoparticles in a carbonaceous matrix. The realized devices have, at room temperature, a current sensitivity of about 1 V/AT, a resistance of a few kilo-ohms, and can be biased with a maximum current of about 1 mA. The room-temperature magnetic field resolution is about 10 muT/Hz(1/2) at frequencies above 1 kHz.

Détails

Titre Submicrometer Hall devices fabricated by focused electron-beam-induced deposition
Auteur(s) Boero, G ; Utke, I ; Bret, T ; Quack, Niels ; Todorova, M ; Mouaziz, S ; Kejik, P ; Brugger, J ; Popovic, RS ; Hoffmann, P
Publié dans Applied Physics Letters
Volume 86
Numéro 4
Pages 042503 (3 pages)
Date 2005
Editeur American Institute of Physics
ISSN 0003-6951
Mots-clés (libres)
DOI https://doi.org/10.1063/1.1856134
Autres identifiant(s) Afficher la publication dans Web of Science
DAR: 6125
Laboratoires Q-LAB
LMIS1
LMIS3
Le document apparaît dans Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LMIS1 - Laboratoire de microsystèmes 1
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > Q-LAB - Groupe Quack
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LMIS3 - Laboratoire de microsystèmes 3
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice 2005-11-02

Actions

Aperçu