Growth and characterization of strained InAlAs/InGaAs heterostructures for high-frequency applications
1997
Fichiers
Détails
Titre
Growth and characterization of strained InAlAs/InGaAs heterostructures for high-frequency applications
Auteur(s)
Beck, Mattias
Directeur(s)
Pagination
97
Date
1997
Editeur
Lausanne, EPFL
Langue
Anglais
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Production scientifique et compétences > Thèses EPFL
Travail produit à l'EPFL
Publié
Thèses
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Date de création de la notice
2005-03-16