Etude et réalisation de transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs / GaInAs / InP pour les applications en hyperfréquences
1992
Fichiers
Détails
Titre
Etude et réalisation de transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs / GaInAs / InP pour les applications en hyperfréquences
Auteur(s)
Gueissaz, François
Directeur(s)
Pagination
154
Date
1992
Editeur
Lausanne, EPFL
Langue
Français
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Production scientifique et compétences > Thèses EPFL
Travail produit à l'EPFL
Publié
Thèses
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2005-03-16