Ces dernières années, l’intérêt des chercheurs quant aux propriétés de l’oxide d’hafnium (HfO2) n’a cessé de grandir. L’une d’elles est la flexoélectricité, phénomène physique étroitement lié à la piézoélectricité, mais là où cette dernière développe une polarisation due à la simple déformation d’un matériau diélectrique, la polarité apparente due à la flexoélectricité est causée par le gradient de déformation. Ce projet de semestre a pour but d’étudier le coefficient flexoélectrique du HfO2 cristallin et/ou dopé. Dans ce document, la mesure de ce coefficient est faite pour le même matériau mais sous condition amorphe et non-dopé. Le présent rapport décrit les différences qu’engendrent la cristallisation et le dopage de ce matériau dans l’étude de sa flexoélectricité.