A 4-Terminal Method for Oxide and Semiconductor Trap Characterization in FDSOI MOSFETs
2019
Fichiers
Détails
Titre
A 4-Terminal Method for Oxide and Semiconductor Trap Characterization in FDSOI MOSFETs
Auteur(s)
Han, Hung Chi ; Theodorou, Christoforos ; Ghibaudo, Gerard
Editeur(s)
Présenté à
25th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2019), EPFL Neuchâtel campus - Neuchâtel, Switzerland, 18 - 21 June 2019
Date
2019
Editeur
ICLAB
Laboratoires
ICLAB
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Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > ICLAB - Laboratoire de circuits intégrés
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Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
Papiers de conférence
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Date de création de la notice
2019-08-22