III-V heterostructure tunnel field-effect transistor
2018
Détails
Titre
III-V heterostructure tunnel field-effect transistor
Auteur(s)
Convertino, C ; Zota, CB ; Schmid, H ; Ionescu, AM ; Moselund, KE
Publié dans
Journal of Physics-Condensed Matter
Volume
30
Numéro
26
Pages
264005
Date
2018
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2018-11-08