Confinement-induced InAs/GaSb heterojunction electron-hole bilayer tunneling field-effect transistor
2018
Détails
Titre
Confinement-induced InAs/GaSb heterojunction electron-hole bilayer tunneling field-effect transistor
Auteur(s)
Padilla, JL ; Medina-Bailon, C ; Alper, C ; Gamiz, F ; Ionescu, AM
Publié dans
Applied Physics Letters
Volume
112
Numéro
18
Pages
182101
Date
2018
Autres identifiant(s)
Afficher la publication dans Web of Science
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice
2018-11-08