Comment on "Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors"
2018
Détails
Titre
Comment on "Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors"
Auteur(s)
Chen, W ; Pasquarello, A
Publié dans
Physical Review Letters
Volume
120
Numéro
3
Pages
039603
Date
2018
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
CSEA
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > CSEA - Chaire de simulation à l'échelle atomique
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Date de création de la notice
2018-11-08