Analysis of the Heterogate Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor With Partially Doped Channels: Effects on Tunneling Distance Modulation and Occupancy Probabilities


Publié dans:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 65, 1, 339-346
Année
2018
Laboratoires:




 Notice créée le 2018-11-08, modifiée le 2018-12-03


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