Analysis of the Heterogate Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor With Partially Doped Channels: Effects on Tunneling Distance Modulation and Occupancy Probabilities
2018
Détails
Titre
Analysis of the Heterogate Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor With Partially Doped Channels: Effects on Tunneling Distance Modulation and Occupancy Probabilities
Auteur(s)
Padilla, JL ; Medina-Bailon, C ; Navarro, C ; Alper, C ; Gamiz, F ; Ionescu, AM
Publié dans
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Volume
65
Numéro
1
Pages
339-346
Date
2018
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2018-11-08