An 800-MHz Mixed-V-T 4T IFGC Embedded DRAM in 28-nm CMOS Bulk Process for Approximate Storage Applications
2018
Détails
Titre
An 800-MHz Mixed-V-T 4T IFGC Embedded DRAM in 28-nm CMOS Bulk Process for Approximate Storage Applications
Auteur(s)
Giterman, R ; Fish, A ; Geuli, N ; Mentovich, E ; Burg, A ; Teman, A
Publié dans
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
Volume
53
Numéro
7
Pages
2136-2148
Date
2018
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
TCL
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > TCL - Laboratoire de circuits pour télécommunications
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Date de création de la notice
2018-11-08