α-GeTe and (GeMn)Te semiconductors: A new paradigm for spintronics
2018
Fichiers
Détails
Titre
α-GeTe and (GeMn)Te semiconductors: A new paradigm for spintronics
Auteur(s)
Krempaský, J. ; Springholz, G. ; Minár, J. ; Dil, J. H.
Publié dans
AIP Conference Proceedings
Editeur(s)
Volume
1994
Pages
020026
Présenté à
APPLIED PHYSICS OF CONDENSED MATTER (APCOM 2018)
Date
2018
Editeur
American Institute of Physics
Autres identifiant(s)
DOI: https://doi.org/10.1063/1.5048878
Laboratoires
GR-DIL
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > GR-DIL - Groupe Dil
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2018-09-20