2 kV slanted tri-gate GaN-on-Si Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current
2018
Fichiers
Détails
Titre
2 kV slanted tri-gate GaN-on-Si Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current
Auteur(s)
Ma, Jun ; Matioli, Elison
Publié dans
Applied Physics Letters
Volume
112
Numéro
5
Pages
052101
Date
2018
Laboratoires
POWERLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > POWERLAB - Laboratoire de dispositifs semiconducteurs de puissance
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Publié
Grant
FNS: PYAPP2_166901
EU funding: ERC Grant Agreement No. 679425
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Date de création de la notice
2018-02-27