Nanoscale MOSFET Modeling: Part 2: Using the Inversion Coefficient as the Primary Design Parameter
2017
Détails
Titre
Nanoscale MOSFET Modeling: Part 2: Using the Inversion Coefficient as the Primary Design Parameter
Auteur(s)
Enz, Christian ; Chicco, Francesco ; Pezzotta, Alessandro
Publié dans
IEEE Solid-State Circuits Magazine
Volume
9
Numéro
4
Pages
73-81
Date
2017
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISSN
1943-0582
Laboratoires
ICLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > ICLAB - Laboratoire de circuits intégrés
Production scientifique et compétences > Partenaires EPFL > Campus Neuchâtel > ICLAB - Laboratoire de circuits intégrés
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Production scientifique et compétences > Partenaires EPFL > Campus Neuchâtel > ICLAB - Laboratoire de circuits intégrés
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice
2017-11-21