Charge-Based Modeling of Long-Channel Symmetric Double-Gate Junction FETs—Part I: Drain Current and Transconductances
2018
Détails
Titre
Charge-Based Modeling of Long-Channel Symmetric Double-Gate Junction FETs—Part I: Drain Current and Transconductances
Auteur(s)
Markis, Nikolaos ; Jazaeri, Farzan ; Sallese, Jean-Michel ; Sharma, Rupendra Kumar ; Bucher, Matthias
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
65
Numéro
7
Pages
2744-2750
Date
2018
ISSN
0018-9383
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
EDLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
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Date de création de la notice
2017-10-25