Charge-Based Modeling of Symmetric Double-Gate Junction Field-Effect Transistors – Part I: Drain Current and Transconductances


Publié dans:
IEEE Transactions on Electron Devices
Publisher:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISSN:
0018-9383
Laboratoires:




 Notice créée le 2017-10-25, modifiée le 2018-09-13


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