Thresholdless Lasing of Nitride Nanobeam Cavities on Silicon
2016
Résumé
We present a temperature dependent optical and quantum-optical characterization of close-to-ideal lasing in GaN-based nanobeam cavities. Measuring the photon statistics of emission allows us to prove high-beta lasing at room temperature, and thresholdless lasing at 156K. Thresholdless lasing is explained via temperature dependent carrier redistribution in the 0D/2D gain medium.
Détails
Titre
Thresholdless Lasing of Nitride Nanobeam Cavities on Silicon
Auteur(s)
Jagsch, Stefan Thomas ; Trivino, Noelia Vico ; Callsen, Gordon ; Kalinowski, Stefan ; Rousseau, Ian Michael ; Carlin, Jean-Francois ; Butte, Raphael ; Hoffmann, Axel ; Grandjean, Nicolas ; Reitzenstein, Stephan
Publié dans
2016 International Semiconductor Laser Conference (Islc)
Pagination
2
Série
IEEE International Semiconductor Laser Conference
Présenté à
25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), Kobe, JAPAN, SEP 12-15, 2016
Date
2016
Editeur
New York, Ieee
ISSN
2326-5442
ISBN
978-4-8855-2306-9
Mots-clés (libres)
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
LASPE
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Date de création de la notice
2017-02-17