Vertical band-to-band tunneling based non-volatile memory with high-K gate stack and stable hysteresis characteristics up to 400K
2016
Détails
Titre
Vertical band-to-band tunneling based non-volatile memory with high-K gate stack and stable hysteresis characteristics up to 400K
Auteur(s)
Biswas, Arnab ; Tomar, Saurabh ; Ionescu, Adrian M.
Publié dans
2016 74th Annual Device Research Conference (DRC)
Pagination
2
Pages
1-2
Présenté à
2016 74th Annual Device Research Conference (DRC), Newark, DE, USA, 19-22 June 2016
Date
2016
Editeur
New York, IEEE
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Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > CMI - Centre de MicroNanoTechnologie
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > CMI - Centre de MicroNanoTechnologie
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2016-10-17