Design and fabrication of high-k filled sub-100 nm gap resonators with embedded dielectric field effect transistor for ultra high frequency applications
2016
Résumé
A novel fabrication process for the integration of Field Effect Transistors in electrostatically actuated bulk acoustic resonators is demonstrated. ALD-deposited HfO2 is used as a high-k dielectric for the FET and as an etch-stop layer during the release of the resonator structure as well, enabling the creation of sub-100 nm air-gap resonators with FET amplification enhancement.
Détails
Titre
Design and fabrication of high-k filled sub-100 nm gap resonators with embedded dielectric field effect transistor for ultra high frequency applications
Auteur(s)
Casu, Emanuele Andrea ; Lopez, Mariazel Maqueda ; Vitale, Wolfgang A. ; Fernandez-Bolanos, Montserrat ; Ionescu, Adrian Mihai
Publié dans
2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
Pagination
2
Pages
70-71
Présenté à
2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Honolulu, HI, USA, 12-13 June 2016
Date
2016
Editeur
New York, IEEE
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2016-10-14