Submicron-thick microcavity InGaN light emitting diodes
2008
Détails
Titre
Submicron-thick microcavity InGaN light emitting diodes
Auteur(s)
Choi, Y. ; Iza, M. ; Matioli, Elison ; Koblmuller, G. ; Speck, J. ; Weisbuch, C. ; Hu, E.
Publié dans
Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications XII
Série
SPIE Proceedings, 6910
Numéro
6910-27
Présenté à
Integrated Optoelectronic Devices 2008, San Jose, California, United States
Date
2008
Laboratoires
POWERLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > POWERLAB - Laboratoire de dispositifs semiconducteurs de puissance
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Travail hors EPFL
Papiers de conférence
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Date de création de la notice
2016-05-06