Résumé
Semiconductor device comprising a source electrode, a drain electrode and a semiconducting layer consisting of a single or double 2-dimensional layer(s) made from one of the following materials: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2 or WTe2.
Détails
Titre
Semiconductor device
Auteur(s)
Kis, Andras ; Radisavljevic, Branimir
Date
2012
Mots-clés (libres)
Note
Alternative title(s) :
(de) Halbleiterbauelement
(fr) Dispositif semi-conducteur
Autres identifiant(s)
EPO Family ID: 45812813
Numéro(s) de brevet
US9608101 (B2)
US2014197459 (A1)
EP2661775 (A1)
WO2012093360 (A1)
US2014197459 (A1)
EP2661775 (A1)
WO2012093360 (A1)
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LANES - Laboratoire d'électronique et structures à l'échelle nanométrique
Production scientifique et compétences > Unités non-académiques > TTO - Office de transfert de technologies
Travail produit à l'EPFL
Brevets
Production scientifique et compétences > Unités non-académiques > TTO - Office de transfert de technologies
Travail produit à l'EPFL
Brevets
Date de création de la notice
2015-09-22